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식각균일성 - etch uniformity

식각되는 재료간의 식각속도의 차이. 웨이퍼 안의 균일성에 대하여는 보통, 그림에 표시된 웨이퍼의 중심을 포함한 개의 측정점에서의 식각속도에서, 최대값․최소값 또는 편차를 이용하여 다음 식에 의해 구해진다. 1) 최대값․최소값에 의한 경우 C1223 2) 최대값․최소값․평균값에 의한 경우 C1223-2 3) 편차에 의한 경우 C1223-3 C1223-4 C1223-5 웨이퍼간 균일성에 의하여는, 각 웨이퍼마다 개의 측정점에서 상가평균의 식각속도를 산출하여, 장의 최대값․최소값 또는 편차를 이용하여 윗식 (1), (2), (3)로 구한다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
습식식각 장치 - wet etching system

액상(液相) 상태로 웨이퍼 등을 식각하는 장치의 총칭.

반/디 용어집 웨이퍼 식각장치 웨이퍼처리공정
모래여과기 급속여과기 - sand filter rapid sand filter

응집침전장치에서 유츌되어 나오는 작은 프로그를 제거하는 장치. 중력식과 압력식의 2종류가 있어, 여과기의 여과층을 구성하여, 여과재로써는, 유효직경 0.45㎜～0.7㎜의 모래와 0.9～1.2㎜의 안스라사이트(입상무연탄)이 이용되고, 지지재로써는 직경 2～40㎜의 사리(砂利)등이 이용되고 있다.

반/디 용어집 사공정 에싱
식각실 - etching chamber

식각처리를 하는 진공실. 일반적으로 처리실, 반응실, 또는 챔버라고도 한다.

반/디 용어집 건식식각장치 웨이퍼처리공정
모방방식면가공 - copy chamfering

형판 또는 모형을 따라, 웨이퍼의 바깥둘레, 위아래의 면가공연삭하는 방식. 외주(바깥둘레), 위아래 서로 다르게 모방하여 연삭한다.

반/디 용어집 기계가공 웨이퍼제공정
무전위결정 - dislocation free crystal

주기성의 변화가 비교적 적으며, 거의 완전하다고 여겨지는 결정. 이것을 거의 완전한 결정(nearly perfect crystal)또는 무전위결정이라고 한다. 광학적으로는 무전위결정은, 에칭법과 Lang법으로 볼 때, 전위가 검출되지 않는다는 점에서는 이것만 완전결정에 가깝다고 여겨진다. 그러나, 여전히 검출되지 않는 결함이 남아있다.

반/디 용어집 특성용어 검사
순차적 패턴발생기 SQPG - sequential pattern generator

논리소자의 시험에 있어서 미리 저장된 어떤 진리표의 입력과 기대값 데이터의 테스트패턴을 순차적(sequential)으로 발생시키는 발생기. 간단한 시퀀스(straightforward sequence)에 루프명령과 분기명령을 조합하여 다양한 패턴을 발생시킬 수 있다.

반/디 용어집 사공정 디버그
배관접합기술 - pipeline jointing technique

수지배관의 접합법으로써는, 접착제에 의한 접한 및 열용착에 의한 접합이 있으며, 후자는, 소켓식열용착 및 배트식열용착으로 나뉜다. 배관재료에 대해서 내열성과, TOC 용출이 적어 열용착에 의한 접합이 주류가 되고 있으며, 내면의 미끄럼이 양호한 배트식 열용착법이 점점 많이 사용된다.

반/디 용어집 설비․환경공정 물
선형검사시스템 아날로그검사시스템 - linear test system analog test system

선형 IC(OP Amp, 레귤레이터, 비교기, 오디오 IC, 비디오 IC 등)의 전기특성을 측정하는 장치.

반/디 용어집 사공정 디버그

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

탄성계수 - elastic modulus

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