반디통 용어집

CAE 입문자도 쉽게 이해할 수 있는 '알기 쉬운 기술 용어집'

CAE 용어집

CAE 관련 용어를 확인해 보세요.

반/디 용어집

반도체 / 디스플레이 공정 및 장비 관련 용어를 확인해 보세요.

통신 용어집

통신 분야의 다양한 용어를 확인해 보세요.

All
CAE
반도체∙디스플레이
통신

위성 2종

위성 1종 사업자로부터 트랜스폰더를 빌려 그것을 분할하거나 부가가치를 창출해 재판매하는 사업자.

통신 용어집
인덱스량 - index amount

웨이퍼 위에 인접한 칩의 가로, 또는 세로방향의 중심간 거리.

반/디 용어집 사공정 핸들링
원자층 에피택셜 성장장치 - atomic layer epitaxial growth system

원자층 또는 분자층을 한층씩 제어하여 성장시키는 장치. 원자층 제어의 방법은 다이나믹법과 포화흡착법으로 구분되며, 양자(quantum)효과를 얻기 위해 화합물반도체소자를 극미세구조로 만든다.

반/디 용어집 에피택셜 성장장치 웨이퍼처리공정
오디오신호 측정기능 - audio signal measure - ment

음성 대역의 파라메터를 측정하는 기능으로 정현파발생기, 진폭계, 왜곡률계 등으로 구성.

반/디 용어집 사공정 디버그
원형컷 - circle cutting

웨이퍼의 외주(바깥둘레)에 맞추어, 절삭 스트로크(stroke)를 변화시켜 컷팅하는 방식. 보통의 웨이퍼는, 이 방식으로 컷팅하는 것이 일반적이다.

반/디 용어집 조립공정 다이싱
웨이퍼 호이스트 - wafer hoist

웨이퍼반송기구에서 웨이퍼를 받아 전달하는 장치. 반송기구의 앞부분에 부속(附屬)된 웨이퍼 암(arm)을 지칭하는 경우가 많으며, 받아 전달하는 공정위치에서 웨이퍼를 받는 기구와 이것을 구동하는 상하기구로 이루어 진다.

반/디 용어집 기본․공통 웨이퍼처리공정
인출전압 - extraction voltage

이온원에서 생성된 이온을 인출(extract)하기 위해, 이온원과 인출전극계 사이에 인가되는 전압. 이 전압에 의해, 이온원에서 인출된 이온의 이온에너지가 결정된다.

반/디 용어집 이온 주입장치 웨이퍼처리공정
오토 디스커버리

네트워크에 접속된 단말기를 찾아내는 기능. ICMP를 사용하는 방법과 ARP 캐시(UNIX 머신이 TCP/IP 이용시에 작성한 IP 어드레스와 MAC 어드레스의 대응표)를 참조하는 방법이 흔하다. IP 어드레스를 가진 제품에 한정하는 경우가 대부분이지만, 허브와 제휴한 SNMP 매니저에서는 비 IP 단말기를 찾아내는 제품이 있다. 오토 마프와 조합돼 있는 제품도 있다.

통신 용어집
외측리드본더 - outer lead bonder

테이프본딩에 있어서, 내측리드본딩을 끝낸 테이프에서 다이가 접속되는 외측리드부분을 잘라내고, 패키지는 기판의 전극에 중합하여, 열 및 압력을 가하여 접합하는 장치,

반/디 용어집 조립공정 본딩

기술용어통 처음으로

반디통 용어집

CAE 용어집

반/디 용어집

통신 용어집

자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

마찰계수 - friction coefficient

감쇠비 - damping ratio

탄성계수 - elastic modulus

프란틀 수 - Prandtl number

공칭 응력 - nominal stress

최대 전단응력(트레스카) 이론 - maximum...

CFL수 - Courant - Friedrichs...

위성 2종

인덱스량 - index amount

원자층 에피택셜 성장장치 - atomic layer epitaxial growth system

오디오신호 측정기능 - audio signal measure - ment

원형컷 - circle cutting

웨이퍼 호이스트 - wafer hoist

인출전압 - extraction voltage

오토 디스커버리

외측리드본더 - outer lead bonder

더 빠른 설계를 위한 첫 걸음!