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다단열처리 - multi steps annealing

주로 Si 웨이퍼의 내부에 미소결함을 형성 및 성장시키는 열처리방법. 700℃전후의 저온열처리에서 미소결함의 핵을 형성시키고, 다음에 1000℃전후의 고온열처리에서 미소결함을 성장시키는 등, 결함을 쉽게 검출할 목적으로 실시된다. 저온과 고온을 여러 번 조합하여 실시하는 열처리방법.

반/디 용어집 열처리용어 웨이퍼제공정
기상세정장치 - vapor phase cleaning equipment

화학약품증기와 가스를 불화성가스로 희석시켜 반응실로 보내어, 세정물의 표면오염물을 기화하기 쉬운 반응생성물로 변화시켜 제거하는 장치.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 건식세정장치
긴 치수 정밀도 - long dimension accuracy

칩 내의 패턴 위치, 칩 간의 패턴의 상대위치 혹은 층간의 상대위치 등을 나타내는 긴 치수(long dimension)의 정밀도. 마스크의 중복정밀도 측정과 묘화장치의 관리에 이용되며, 좌표측정장치로 측정된다. 측정항목은 개별 피치(pitch), 토탈 피치, 직교도(直交度), 칩 로테이션, 칩 배율, 삽입패턴의 위치 부정합 등이 있다.

반/디 용어집 검사장치 마스크제조공정
대전류이온 주입장치 - high current ion implanter

빔전류량의 최대값이 5mA 이상인 이온주입장치.

반/디 용어집 이온 주입장치 웨이퍼처리공정
3세대 컴퓨터 - third generation computer

시대별로 컴퓨터를 구분할 때 기억소자의 변천에 따라 1세대부터 4세대까지로 나눌 수 있다. UNIVAC1으로 유명한 1세대 컴퓨터는 진공관을, 2세대 컴퓨터는 트랜지스터를, 3세대 컴퓨터는 IC(집적회로)를 사용하였으며 4세대 컴퓨터는 LSI를 사용하였다. 3세대 컴퓨터는 가감산 속도가 1나노초(백만분의 1초) 이하이고 컴퓨터의 크기를 소형화하였으며, 기억용량은 100K워드부터 수 메가워드에 이른다. 1964년 IBM 시스템/360 시리즈가 발표되면서 등장한 3세대 컴퓨터는 다양한 모델들간의 표준화와 호환성을 부여하였다. 또한 컴퓨터를 효율적으로 이용하기 위한 소프트웨어의 중요성이 강조되어 소프트웨어 분야의 커다란 진전이 있었다. 3세대 컴퓨터의 특징으로는 상이한 터미널에서 다수의 사용자들이 한 컴퓨터를 동시에 사용할 수 있는 데이터 통신의 응용, 시분할 시스템(time sharing system), 여러 가지 프로그램을 동시에 처리하는 다중 프로그래밍 등을 들 수 있다. 3세대 컴퓨터가 중요시되는 이유는 4세대 컴퓨터에 쓰이고 있는 LSI(대규모 집적) 반도체 회로의 기초가 되는 IC를 처음으로 사용하였다는 점이다. 4세대 컴퓨터는 1972년 IBM 시스템/370 시리즈가 LSI를 사용하면서 등장하였으며, 현재 우리가 쓰고 있는 컴퓨터에는 이 LSI보다 더 발전된 VLSI가 쓰이고 있다.

통신 용어집 third generation computer
다운 로드 - down load

컴퓨터 모니터의 화면은 수십만개의 점으로 구성되어 있으며, 이 점들이 모여 글자나 그림이 만들어진다. 컴퓨터를 사용하다 보면 해상도가 640*200이나 320*200이라는 말을 듣게 되는데, 이것은 컴퓨터가 모니터에 화면을 구성할 때 몇 개의 점을 가지고 한 화면을 구성하는가를 나타내는 것으로 앞의 수치는 가로 점의 수를, 뒤의 수치는 세로 점의 수를 의미한다. 예를 들어 흑백 모니터에서 가장 널리 사용되는 허큘리스 그래픽 카드는 720*348이다. 이와 같이 나타낸 점의 수치를 해상도라고 하는데, 해상도는 화면의 선명도와 일치한다. 즉, 많은 점으로 구성될수록 해상도가 높아 보다 선명한 화면이 제공된다. 이러한 도트는 픽셀(pixel) 또는 화소라는 말로 불리우기도 한다.

통신 용어집 dot 점
게이트 - gate

성형금형에 있어서 용융수지를 캐비티에 주입하는 주입구.

반/디 용어집 패키지 조립공정
리드평탄도 - coplanarity

면실장패키지 한 개로 성형된 리드부분에서 접지면과 리드면과의 간극의 부정합의 최대값.

반/디 용어집 조립공정 마무리
건식 현상 - dry developing

레지스트의 패턴을 건식식각을 이용하여 형성하는 방법. 습식현상방식에 비해, 밑면반사 등의 문제를 피할 수 있다. 실릴화 공정의 형태에 레지스트 자체에 식각의 선택성을 갖게하는 방법과 다층 레지스트법 등이 있다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 레지스트 처리

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