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도가니 - furnace

결정을 성장시키기 위한 용기. 원료를 용해, 유지하고, 그것으로부터 결정을 성장시킨다. 따라서 재질로서는 용융되거나 반응하지 않으며 불순물함량이 적은 것이 바람직하다. 현재 실리콘결정성장용에는 석영유리가, 화합물반도체용에는 질화붕소 등이 사용된다. 모양은 일반적으로 단순한 단층구조가주를 이루지만 연속 충전(charge)법이나 이중 도가니법에 있어서는 바깥도가니와 속 도가니의 이중구조를 가지고, 속 도가니의 옆면에 구멍을 뚫어 바깥도가니에 원료를 공급하여 속 도가니로부터 결정을 끌어내는 2중도가니가 사용되고 있다. 또, 석영유리는 실리콘용융점에 가까운 고온으로 변형하므로 바깥에 지지용 흑연도가니도 사용되고 있다.

반/디 용어집 웨이퍼제공정 단결정제조
매칭

2개의 회로를 결합할 때 손실은 최소로 하고 출력은 최대가 되도록 단자에서 내부를 본 임피던스를 맞추는 것.

통신 용어집 매칭
딥 스위치 - DIP(Dual In - line Package switch)

distributed information processing network architecture

통신 용어집 DINA
더미웨이퍼 - dummy wafer

부하(loading)효과에 대한 대책으로 사용되며, 실제로 IC 패턴이 형성되지 않고 장치의 가동 테스트, 배치(batch)처리를 할 때, 다른 웨이퍼와 마주보게 한다.

반/디 용어집 기본․공통 웨이퍼처리공정
데이터로깅 메모리 - data logging memory

기능검사할 때에, 피측정디바이스에 부여되는 입력정보를 시간에 따라 저장하는 메모리.

반/디 용어집 기본․공통 사공정
노광(露光) - exposure

패턴을 형성하기 위해, 감광막을 빛으로 조사하여 감광막의 구조를 변화시키는 것

반/디 용어집 기본․공통 마스크제조공정
다이아몬드 CVD - diamond CVD

메탄 등의 탄소화합물을 원료로 하여, 다이아몬드박막을 형성하는 CVD. 플라즈마CVD법, 열필라멘트법, 이온빔스퍼터링법 등이 이용되고 있다. 고속․고온작동 반도체 소자의 응용된다.

반/디 용어집 CVD 장치 웨이퍼처리공정
링크 특성

경유하는 아날로그 교환기 수에 의해 일어나는 회선의 주파수 특성의 악화. 감쇠(다중된 신호를 분할할 때 발생)와 지연(주파수에 따른 신호의 운반속도의 차)이 원인이다. 교환기 수가 증가할수록 악화한다. 디지털 교환기의 경우에는 발생하지 않는다.

통신 용어집 링크 특성
마킹인식성 - marking visibility

마킹후 제품에서 마킹한 문자가 보이는 정도. 잉크마킹, 레이저마킹할 때의 문자발색성 및 마킹의 선명도 등을 포함한다. 마킹강도, 마킹위치정밀도와 함께, 마킹품질을 평가할 때 사용된다.

반/디 용어집 조립공정 마킹

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자주 찾는 용어

폰 미제스 응력 - von Mises stress

감쇠비 - damping ratio

마찰계수 - friction coefficient

프란틀 수 - Prandtl number

CFL수 - Courant - Friedrichs...

탄성계수 - elastic modulus

공칭 응력 - nominal stress

최대 전단응력(트레스카) 이론 - maximum...

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딥 스위치 - DIP(Dual In - line Package switch)

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다이아몬드 CVD - diamond CVD

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