웨이퍼를 커팅할 때에 발생하는 정전기가 대전되는 것을 방지하기 위해, 순수(純水) 중에 이산화탄소를 넣어 순수의 비저항값을 낮추는 장치.
반/디 용어집조립공정다이싱
포스터컷 - post cut
원기둥 모양의 외부인출 단자(post)예 제2 본딩을 한 후에, 캐필러리로부터 나오는 와이어를 포스트의 테두리와 캐필러리 앞끝에서 선을 절단하는 방법.
반/디 용어집조립공정본딩
저온 식각 - low temperature etching
수직의 패턴 모양과 높은 식각선택비를 얻기 위해, 보통의 건식식각의 처리온도보다 낮은 온도(0。C이하)에서 처리하는 식각.
반/디 용어집건식식각장치웨이퍼처리공정
콘택 근접 노광장치 - contact proximity aligner
한 대의 장치로 선택적으로 마스크와 웨이퍼를 밀착 또는 근접시켜 노광할 수 있는 노광장치. 밀착되어 노광하는 장치를 콘택노광장치, 근접하여 노광하는 장치를 근접노광장치라고 각각을 구별지어 부르는 경우도 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
ATP
apple talk transaction protocol
통신 용어집
형내압력 - internal die pressure
수지를 주입할 때, 금형캐비티에 발생하는 압력.
반/디 용어집패키지조립공정
정규로그 그래프 정규로그 플랏 - log - normal graph log - normal plot
반도체디바이스의 특성값과 부정합 등, 주로 정규분포에 따르는가를 평가하는 그래프. 전자이동성(electromigration)평가등에 이용된다.
반/디 용어집사공정에싱
흡착플레이트 - vacuum plate
웨이퍼와 플레이트 등을 흡착하여, 지지하는 플레이트 중에서, 매엽적으로 웨이퍼를 연마할 때에 웨이퍼를 고정시키기 위한 왁스지지판. 지지방법으로서 진공흡착방식과 템플레이트 어셈블리를 이용한 수(水)접착 등의 왁스리스방식이 있다. 플레이트의 재질은 세라믹스가 많이 사용되고 있다.
반/디 용어집웨이퍼제공정폴리싱장치-성능․정밀도
중압역침투막 - medium pressure reverse osmosis membrane
20~40 kg/㎠의 조작압력으로 운전하여 소정의 수량, 수질을 얻을수 있는 역침투막. 가장 일반적으로 이용되고 있으며, 초산셀룰로즈제 역침투막이 많다.