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RCA세정 - RCA cleaning

1970년에 미국 RCA사가 개발한 다음과 같은 공정 및 조성으로 이루어진 Si 웨이퍼 세정법. (1) 암모니아 : 과산화수소 : 물의 용적배합비=1 : 1~2 : 5~7의 세정액(SC-1액 또는 Ammonia-Hydrogen Peroxide Mixture, 줄여서 APM액)으로, 75~85。C, 10~20분의 침적처리. 유기성 오염, 및 부착입자를 제거할 수 있다. (2) 불소산수용액(1 : 99의 희석액, Diluted Hydrofluoric acid 줄여서 DHF액)으로, 실온(室溫)에서 십 몇 초간의 침적처리. 실리콘산화피막을 제거할 수 있다. (3) 염산 : 과산화수소 : 물의 용적배합비=1 : 1~2 : 5~7의 세정액(SC-2액 또는 Hydrochloric acid-Hydrogen Peroxide Mixture, 줄여서 HPM액)으로, 75~85。C, 10~20분의 침적처리. 표면금속 불순물을 제거할 수 있다.
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