노광 파장을 변화시키지 않고, 노광 파장에 의존하는 포토 리소그래피(photo lithography)의 가공 한계를 크게 낮추기 위한 마스크로써, 라인/스페이스과 같은 패턴에 있어서, 이웃한 투광부로부터 조사되는 빛의 위상을 180。C로 반전시켜주면, 그 사이에 낀 차광부의 빛의 광도(intensity)가 0이 되어 이웃한 투광부가 분리되는 원리이다. 타이프(type)로써 (1)하프 톤(half tone) (2)레벤슨 (3)보조 패턴 (4)에지(edge)강조 (5)크롬리스형이 있다.
