다단열처리 - multi steps annealing

주로 Si 웨이퍼의 내부에 미소결함을 형성 및 성장시키는 열처리방법. 700℃전후의 저온열처리에서 미소결함의 핵을 형성시키고, 다음에 1000℃전후의 고온열처리에서 미소결함을 성장시키는 등, 결함을 쉽게 검출할 목적으로 실시된다. 저온과 고온을 여러 번 조합하여 실시하는 열처리방법.