미소굴곡 - micro

Si 웨이퍼의 거울면도 100～1000nm의 피치에 수 nm이하 높이의 굴곡이 만들어진다. 이 레벨의 굴곡을 미소굴곡이라고 부르며, 웨이퍼의 연마조건, 결정방위, SC-1세정조건에 영향받는다. 얇은 게이트 산화막의 내압특성은 미소굴곡의 증대를 저하시키기 때문에, 이것을 억제하기 위해 표준조성의 NH4OH비를 수 분의 1이하로 하여 세정한다.