주입실 - implant chamber process chamber target chamber

웨이퍼에 이온주입하는 처리실. 주입할 때, 챔버 내에 있는 가스와 이온빔의 충돌에 의해 발생하는 중성입자가 같이 주입되어 생기는 주입량의 오차를 막기위해, 고진공을 유지할 필요가 있다. 높은 쓰루풋(throughput)을 달성하기 위해, 진공 예비실과 두 개의 주입실이 설계된 장치도 있다.