스핀도포기에 있어서, 레지스트 도포 중에 웨이퍼를 둘러싸기 위해 설치된 원통모양의 용기. 도포 중의 배기와 레지스트의 반동을 고려하여 설계하고 있다. 스핀developer와 같은 모양의 컵이 설계되고 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정도포장치
서브러너 - sub runner
용융수지가 흘러가는 경로가 러너이고, 이 러너가 다시 분기될 때의 수지경로를 말한다.
반/디 용어집패키지조립공정
스미어검사 - smear test
스폿 광을 디바이스의 수광부(受光部)에 조사(照射)할 때, 빛을 받은 화소에서 어떤 거리만큼 떨어진 화소에 흐르는 전하의 양을 측정하는 시험.
반/디 용어집사공정이미지센서 검사장치
수직형브릿지만법 - vertical Bridgman method
앞끝에 모세관 등이 달린 작은 용적부의 용기(crucible)을 준비하여 이것에 원료를 채우고, 용기 안에서 온도가 높은 곳의 재료를 전부 용해시키고, 다음에 이것을 모세관의 선단쪽에서 저온부에 천천히 이동시키며, 저온부는 결정재료의 용융점보다도 낮은 온도를 유지하게 하여, 이 부분을 이용해 고화를 진행시키는 방법. 모세관 내의 고화(固化)가 진행됨에 따라 결정방위가 성장에 유리한 방향으로 진행되어, 모세관의 중간까지 진행될 때에는 단일결정이 되어 버린다.
반/디 용어집웨이퍼제공정단결정제조
실리카 - silica
이온상(ion 狀)실리카, 용재실리카, 코로이드상실리카 및 전 실리카를 이르는 용어. 농도는 흡광광도법에 의해 측정하여, 예를들면 이산화규소(SiO2)로 환산하여 표시한다. (㎍/l) 물처리장치설계에 대해서는 피처리수 중의 SiO2함유율(실리카비)에 주목할 필요가 있으며, 실리카비는 다음식으로 표시한다. 실리카비(%)= ×100
반/디 용어집설비․환경공정물
스큐 - skew
여러 개의 전송계에서, 동일한 신호를 전송할 때, 이 신호 사이에 발생하는 위상 또는, 시간이 기대값과 차이가 나는 것. 드라이버계, 비교기 사이의 스큐 등이 있다.
반/디 용어집Skew기본․공통
상면조도 - illumination intensity at image plane
노광장치의 결상위치에 있어서 조명강도.
반/디 용어집웨이퍼처리공정노광
어닐온도 - annealing temperature
시료를 가열처리할 때, 시료의 구조와 물성을 안정화시킬 수 있는 처리온도. 웨이퍼 공정에는 비정질층의 단결정화, 신터링(sintering), 계면의 특성향상, 왜곡제거 등을 하기 위한 열처리온도를 가리킨다.
반/디 용어집어닐장치웨이퍼처리공정
스크러빙 - scrubbing
다이와 리드프레임 및 패키지의 경계면에 삽입된 접합재료가 양방으로 잘 어울리도록 문질러 맞추어 주는 것.
