반응성이온빔식각장치 RIBE 장치 - reactive ion beam etching system RIBE
반응성가스에 의한 플라즈마를 이온원에서 발생시켜, 반응성가스 이온 및 중성라디칼를, 이온원과 분리된 시료대 위의 웨이퍼에 조사하여 식각을 진행하는 장치.
반/디 용어집건식식각장치웨이퍼처리공정
비율 - rate
기능시험에 있어서, 테스트사이클을 규정하는 값.
반/디 용어집기본․공통사공정
벌크결함 - bulk defect
실리콘 웨이퍼의 결함을 나타낼 때, 웨이퍼의 표면보다 수㎛이상의 깊이의 부분에 발생하는 결함. 이것에 대응하여, 웨이퍼의 표면에서 10㎛이내의 표면층에서 발생하는 결함은 결정자신뿐만 아니라 가공공정에 기인하는 결함도 포함될 가능성이 있다. 가공에 기인하는 결함을 제외한, 오직 결정때문에 발생하는 결함을 나타내기 위하여, 특히 벌크결함이라고 한다.
반/디 용어집특성용어검사
미스매치 - mismatch
윗 패키지와 아래 패키지의 부정합
반/디 용어집패키지조립공정
범프 와이어범프 - bump
반도체 칩 또는 배선용리드에 형성된 돌기 모양의 접속전극. 반도체 칩 위의 범프에는 전처리공정에서 만들어 넣은 것과, 와이어본더로 만들어진 와이어범프가 있다.
