배선의 다층화에 따르는 세로구조 단차의 굴곡을 완화하는 기술. 절연막의 평탄화법으로써는 도포법, 바이어스 스퍼터링법, 리플로우(reflow)법, 식각법, 리프트오프(lift-off)법이 있고, 금속막의 평탄화법으로써는 바이어스 스퍼터링법, CVD선택성장법 등이 있고, CMP법으로 얻어지는 웨이퍼 전면을 평탄화하 것을는 특히 전면평탄화(global planarization)이라고 부른다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정박막형성장치
파형디지타이저 HDGT PDGT - waveform digitizer high speed (precision) digitizer
정현파, 변조파를 A/D변환하여, 주파수특성, 그룹 지연 등을 측정하는 기능을 갖는다. AD변환기와 데이터 저장메모리로 구성되어 있다.
반/디 용어집사공정혼합형 디버그장치
TEA CO2 레이저 TEA레이저 - TEA CO2 laser
레이저활성물질로써 탄산가스의 혼합가스를 이용하여 펄스모양으로 방전을 이용하는 레이저, 대기압 근방의 가스압력으로 동작하여, 레이저발진방향에 수직으로 방전을 여기하는 방식의 가스레이저이다. TEA는 Transversely Electromagnetic Atmosphere의 약자로 TE는 축을 따라 길게 형성된 평행평판을 방전전극으로 사용하는 것을 뜻하고, A는 보통의 CO2 레이저가 30Torr 정도로 낮은데 반해, TEA CO2레이저는 방전관 안의 기압이 대기압인 것을 뜻한다.
반/디 용어집조립공정마킹
최소검출 펄스폭 - minimum detectable pulse width
피측정디바이스의 출력레벨을 판정하는 비교기의 동특성 중의 하나. 판정동작이 가능한 범위에서의 입력이 들어오면, 최소값의 펄스로 출력된다.
반/디 용어집기본․공통사공정
DGS - device ground sense
디바이스를 시험할 때의 기준전위. 이 전위를 기준으로 측정결과를 얻는다.
반/디 용어집사공정디버그
패키지 - package
반도체직접회로의 구성부품을 배치, 연결, 보호할 목적의 용기.
반/디 용어집패키지조립공정
틸트 스텝 - multiple tilt angle implantation
이온주입을 할 때, 한 장의 웨이퍼에 틸트각을 여러 번 변화시키면서 이온을 주입하는 것. 이온주입 중에는 틸트각은 고정되어, 일정량주입 후, 틸트각을 변화시키고 그 각에 대한 이온주입을 실시한다. 보통 주입 중에는, 웨이퍼는 연속회전된다.
반/디 용어집이온 주입장치웨이퍼처리공정
ASIC테스터 ASIC검사 장치 - ASIC tester ASIC verification system
피측정디바이스로써 게이트어레이 등의 측정에 적합한 논리검사기. 대규모고속화된 ASIC을 검사하는 경우, 테스트패턴을 생성하는 CAD환경과 검사기와의 유연한(smooth) 링크가 중요하다. 이 검사기는 최적의 맨-머신(man-machine) 인터페이스 및 퍼핀 아키텍처(per pin architecture) 등이 중요한 기능이다.
반/디 용어집사공정디버그
YAG레이저 - YAG laser
레이저 활성물질로써 이트륨, 알루미늄, 가네트(YAG)에 네오듐을 도핑시킨 결정을 이용한 고체레이저. 펄스발진의 레이저와 연속(CW, continuous wave)발진의 레이저가 이용된다.
