반디통 용어집

세정처리에 사용되는 약액의 폐액을 여과․증류․이온교환 등으로 정제하여, 다시 이용할 수 있도록 하는 장치. 황산, 붕산 등이 실용화되고 있다.

Si 웨이퍼의 거울면도 100～1000nm의 피치에 수 nm이하 높이의 굴곡이 만들어진다. 이 레벨의 굴곡을 미소굴곡이라고 부르며, 웨이퍼의 연마조건, 결정방위, SC-1세정조건에 영향받는다. 얇은 게이트 산화막의 내압특성은 미소굴곡의 증대를 저하시키기 때문에, 이것을 억제하기 위해 표준조성의 NH4OH비를 수 분의 1이하로 하여 세정한다.

세정 후의 웨이퍼 면에 잔류하는 입자, 자연산화막, 유기물 및 금속불순물의 양을 측정하여, 허용값내로 제거되는가를 판단하는 것.

약액 중의 불순물 입자를 여과하고, 다공질막과 하우징(housing) 등으로 내약품성 재료를 사용한 여과기. 반도체용으로는 붕소 수지가 이용되고 여과하려는 입자의 크기에 따라, 필터구멍의 직경이 조절되는 다공질막이 사용된다.

웨이퍼의 가장 바깥 표면에 Si 원자가 수소와 결합하여, 안정화되어, 소수성(물과 반응하지 않는)표면으로 되는 상태. 산화막을 불소산수용액으로 처리한 후에 발생되지만, 완전하지 못한 것도 있어, 이 경우에는 시간경과에 의해 자연산화막이 형성된다.

초음파진동을 가하면서, 세정액을 피세정물에 뿌리는 세정장치. 간단한 스프레이와 비교할 때, 세정력을 높이는 효과가 있다.

세정조 속에 침적된 세정대상물에 초음파를 쏘아 세정하는 장치.

전공정을 실온에서 처리할 수 있는 공정. (1)오존, HF, 게면활성제를 낮은 농도에서만 사용한다. (2)약액증기의 발생이 적고, 액관리가 불피요하여 배기량도 줄일 수 있다. (3)에너지와 자원을 줄일 수 있다. (4)환경대책이 용이하다는 등의 특징이 있다.

장치가 발화(發火)한 경우, 이 것을 감지한 센서의 명령으로 소화제를 분사하여, 빠르게 진화하는 장치. 만일 인화(引火)시킬 때도 연소가 길어지는 것을 막기 위하여 설치할 필요가 있다.