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NA 개구수 - numerical aperture

광학계의 명료성(sharpness) 또는 해상도에 관련한 양(量)의 하나. 굴절률이 인 매질 중에서 어떤 광축 위의 물점(物点)이, 입사광의 반경을 예상한 각을 α라고 할 때, NA(개구수)는 sinα이다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 노광
정렬마크 정합마크 - alignment mark

정렬용으로써, 마스크(레티클)와 웨이퍼 등에 형성된 마크(mark). 마크의 모양은 검출방법에 따라 다르고, 정렬타겟이라고도 부른다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 노광
핀 정렬 - pin alignment

정렬 전에 정렬마스크를 정렬포착범위 내로 끌어드리는 조작

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 노광
정렬스코프 - alignment scope

웨이퍼 위의 정렬마스크의 한 점과 레티클 위에서 정렬마스크의 떨어진 또 한 점을 동시에 계측하여, 웨이퍼와 레티클의 X, Y 방향의 오차와 회전의 부정합을 관찰하는 쌍안현미경.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 노광
표면부착입자 측정기 표면결함 측정기 - optical detector of particle on surface surface scanner

웨이퍼 위의 입자수와 분포를 측정하는 기구. 웨이퍼의 윗 방향에서 레이저광을 조사하고, 각 각도에 따라 웨이퍼 위의 입자로부터의 산란광을 검출한 전기신호가 변화하여 위치의 정보와 함께 표시한다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 노광
중복정밀도 - overlay accuracy registration accuracy

기판 위에 패턴을 형성하여, 다음 공정에서 다시 패턴을 형성할 때, 앞의 기판과의 상대적인 위치정밀도. 전(全)패턴형성공정을 종료한 기판에 있어서, 패턴 사이의 상대적인 위치정밀도는, 중복정밀도에 대응하여, 토탈중복정밀도라고 한다.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 노광
직접묘화 - directing writing

전자빔으로 직접, 웨이퍼 위에 IC패턴을 묘화하는 것.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 노광
TTR 정렬 - through - the - reticle alignment

웨이퍼 위의 정렬마스크를 레티클(마스크)를 매개로 측정하면서 동시에 실시하는 정렬.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 노광
주사스텝식 투영노광 장치 - step - and - scan projection aligner

주사식 투영노광장치와 같은 모양의 동기주사방식으로 각 샷의 노광을 행하고, 또 기판을 반복스텝하여 동일한 기판 위에 여러 샷의 노광을 행하는 투영노광장치.

반/디 용어집 웨이퍼처리공정 노광

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직접묘화 - directing writing

TTR 정렬 - through - the - reticle alignment

주사스텝식 투영노광 장치 - step - and - scan projection aligner

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