메모리 IC의 평가를 위하여 리드(read) 또는 라이트(write)하는 메모리센서의 어드레스신호를 일정한 연산방법에 기초하여, 순차적으로 발생시킬 수 있는 패턴발생기.
반/디 용어집사공정디버그
블레이드마모보정 - blade wear compensation
블레이드의 마모에 의한 홈의 깊이가 감소하는 것을 방지하기 위하여, 블레이드의 높이를 자동적으로 보정하는 기능.
반/디 용어집조립공정다이싱
블레이드돌출량 - blade exposure
플랜지 밖으로 돌출한 칼의 길이. 절삭깊이에 따라 변화하지만, 400~700㎛가 일반적이다.
반/디 용어집조립공정다이싱
산란 효과 - scattering effect
전자빔을 묘화할 때, 전자빔이 산란되고 확산되는 것에 의한 효과인데, 레지스트에 입사한 전자가 레지스트를 구성하는 원자와 충돌하여 진행방향으로 산란이 확산되면서, 진입해 가는 전방산란과, 레지스트를 관통한 후에 기판을 구성하는 원자와 충돌하여 진행방향과 반대 방향으로 산란하는 후방산란효과가 있다. 이것들은 공통적으로 가속전압, 레지스트막의 두께 등에 의존한다.
반/디 용어집노광․묘화장치마스크제조공정
반응로이동스트로크 - furance lift travel
대역용융법, 수직형브릿지만법, 수평브릿지만법에 있어서, 가열로를 이동하여 정제할 때의 가열로의 이동가능거리. 단위는 (㎝) 또는 (㎜)로 표시한다.
반/디 용어집웨이퍼제공정단결정제조
스핀현상장치 - spin developer
웨이퍼를 회전시켜서, 레지스트의 현상, 세정, 건조하는 장치. 액의 공급방식에 따라, 스프레이형, 퍼들(puddle)형으로 구분되며, 또 웨이퍼의 회전상황에 의해 회전형과 정지형이 있다. 액공급계, 스핀모터, 컵의 조합으로 구성되어 있다. 액제사용, 알칼리수용액사용 등의 사용액의 종류에 따라 형식이 달라지는 것도 있다.