반디통 용어집

수지를 성형할 때, 가열하여 사용되는 금형의 온도.

금속화합물을 열분해하여 금속막을 만드는 CVD법. 미세패턴의 배선, 구멍매립, 평탄화를 위해 선택W CVD, 전면W CVD법(blanket W CVD)가 실용화되고 있다. 또, 배선재료로써 비저항이 작은 Cu유기화합물을 소스로 하는 Cu CVD가 있다.

가속전압이 보통의 전자현미경의 40～100kV에 대하여, 106V정도의 전자현미경. 시료투과율의 향상, 시료손상의 경감, 이론적 해상도의 향상 및 효과적으로 암시야(暗視野)조작 등이 가능하다.

리드프레임을 납도금하는 장치. 전해탈지, 순수세정, 활성화, 산세성(酸洗淨) 등으로 전처리공정과 도금공정 및 수세중화, 순수세정, 순탕세(純蕩洗), 건조 등의 후공정장치로 구성된다. 각공정에서의 리드프레임의 취급방법에 따라, 옷걸이식(crack, hanger)납도금, 배럴(barrel)식납도금, 타레트식납도금, 연속라인식납도금 등의 방법이 있다.

리드프레임에 있어 반도체 칩의 표면전극과 직접 연결되는 리드부분.

각종 가열원을 이용하여 시료를 가열하는 장치에 있어서, 가열원의 온도가 그대로 시료속으로 전달하지 않게, 가열원과 시료 사이에 넣어 시료를 가열할 때 온도를 균일하게 하기 위한 용기. 주로 관(파이프) 모양의 용기가 사용된다.

CVD장치에 있어서, 반응실의 바깥쪽에서 히터로 가열하여 반응실 안의 웨이퍼를 가열하는 방법. 반응실 벽의 온도가 고온이기 때문에 고온벽이라 부른다.

인위적으로 불순물원자(Ⅲ가, Ⅳ가 원자)를 첨가하여 반도체결정에 어떤 전기저항값을 주는 방법.

각 결정축간의 경계면.