애싱처리실에 고농도의 오존을 도입하여, 오존과 레지스트를 화학반응시켜, 애싱하는 장치로 오존으로 분해된 산소원자와 레지스트가 반응하므로 하전입자의 영향이 없고, 무결함(demage free)공정이 가능하다. 보통, 질소나 질소화합물을 촉매로 첨가하여, 애싱속도를 높인다.
반/디 용어집애싱장치웨이퍼처리공정
애싱속도 - ashing rate
레지스트가 애싱으로 산화되는 속도
반/디 용어집애싱장치웨이퍼처리공정
애싱 - ashing
포토리소그래피의 마지막으로 웨이퍼 위의 레지스트를 제거하는 것. 습식박리와 건식박리로 나뉘며, 보통 건식박리장치를 애싱장치(asher)라고 한다.
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습식 레지스트 박리장치 - wet type resist stripping system
레지스트 박리액을 담은 통에, 식각을 마친 웨이퍼를 침적시켜, 웨이퍼 위에 레지스트를 박리제거하는 장치. 0.5㎛이상의 선폭에 사용되며, 많은 공간을 필요로 하고, 불순물 등을 주기적으로 청소해 주어야 한다.
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애싱 장치 건식박리장치 - asher dry type stripping system
웨이퍼 위의 레지스트를 산화시켜 날려버려, 제거하는 장치. 습식박리장치에 비해 선폭이 줄어도 문제가 없으며, 적은 공간에서 깨끗하게 레지스트를 제거할 수 있다.
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플라즈마 애싱 장치 - plasma ashing system
반응성가스의 플라즈마를 발생시켜, 이 플라즈마를 이용하여 레지스트를 제거하는 장치. 보통, 산소 플라즈마가 사용된다.
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배럴형 애싱 장치 - barrel
배치처리형 애싱장치. 원통형의 석영챔버 안으로 반응가스를 도입하고, 또 고주파전력을 인가하여 애싱하는 장치. 전극 모양에는 대향형(對向型)과 동축형(同軸型)이 있다.
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팝핑현상 - poping
많은 양의 이온을 주입할 경우, 레지스트 표면에 수소원자가 빠져나가, 남아있는 탄소가 딱딱한 층을 만든다. 애싱속도를 증가시키기 위해 레지스트를 가열하면, 표면이 변질되어 크랙이 발생하고, 내부에서는 가스가 발생한다. 이때, 플라즈마처리를 하면, 표면의 크랙으로 라디칼이 침투하여 표면이 깨지면서 가스가 분출되는 현상.
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표면마이크로파애싱장치 - surface microwave asher
석영챔버에 직접 고주파나 마이크로파를 인가하지 않고, 유전체에 인가한 후, 그 표면파로 플라즈마를 발생시키는 장치. 플라즈마의 균일성이 개선되어 광범위한 균일 플라즈마를 얻을 수 있다.
