고진공 분위기 내에 있는 타겟에, 독립된 이온원(ion源)으로부터 만들어진, 높은 에너지로 가속된 이온빔을 충돌시켜, 10-2Pa이하의 낮은 가스압력에서 막을 성장시키는 장치.
반/디 용어집웨이퍼처리공정박막형성장치
스퍼터건 스퍼터링 방식 - sputter - gun sputtering system
원추형(圓錐形)의 타겟 뒤에 자기회로를 가지고, 타겟표면에 평행한 자계를 발생시키는 캐소드를 가진 마그네트론 스퍼터링장치. 타겟의 모양이 특징이며, 타겟 사용효과가 뛰어나다.
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바이어스 스퍼터링 장치 - bias sputtering system
웨이퍼에 음(-)의 바이어스 전압을 걸어주는 것이 특징이다. 이온의 일부가 기판에 흘러 들어가고 막성장과정에서도 웨이퍼 표면이 이온과 충돌하므로, 막 표면에 흡착된 불순물가스를 주입시켜 순화시켜 주며, 단차 피복성(step coverage)의 개선 및 평탄화 효과의 개선해준다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정박막형성장치
스퍼터링 장치 - sputtering system
진공 중에 방전용 가스를 충전하고, 전극 간에 전압을 걸어주면, 글로우방전이 발생한다. 이 때, 플라즈마 중에 양이온이 음극의 타겟 표면에 충돌하여, 타겟원자가 튀어 나온다. 이런 스퍼터링현상을 이용하여, 박막을 웨이퍼 표면에 형성하는 막형성장치. 방전용 가스로는 Ar등이 사용된다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정박막형성장치
배킹 플레이트 - backing plate
스퍼터링방법에 있어서, 음극에 타겟을 설치할 때 사용되는 타겟지지판. 마그네슘 스퍼터링장치와 같은 큰 전류밀도의 방전을 사용할 경우, 타겟 자신의 온도상승을 방지하기 위해 타겟을 배킹 플레이트에 장착해, 이것으로 냉각시킨다.
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스퍼터링률 - sputterig yield
입사 이온 또는 중성입자 1개와, 타겟 표면에서 튀어나온 원자 또는 분자수와의 통계적 비율. 스퍼터링률은 이온의 종류와 에너지의 크기, 이온의 입사각, 타겟 재료 및 타겟의 결정구조, 면의 방향에 따라 변한다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정박막형성장치
반응성 스퍼터링 장치 - reactive sputtering system
화학반응이 일어나는 화합물박막(산화막, 질화막 등)을 부착할 수 있다. 아르곤 등의 활성가스를 주입시킨 스퍼터링장치 내에 금속 등의 소재를 스퍼터링하여, 금속화합물박막 등을 형성할 수 있다.
반/디 용어집웨이퍼처리공정박막형성장치
콜리메잇 스퍼터링 - collimate sputtering
단차부의 가로세로비(aspect比)가 큰 콘택홀에 막을 성장시킬 때, 밑바닥까지 충분히 박막이 형성되도록, 타겟과 웨이퍼 사이에 격자모양의 판을 삽입하여 강제적으로 수직성분을 높이는 스퍼터링.
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ERC 스퍼터링 장치 - electron coupling resonance sputtering system
마이크로파와 자기장를 걸어주어 전자 사이클로트론 공명방전하고, 플라즈마와 타겟전위를 독립적으로 제어하여 스퍼터링하는 장치.
