전자총의 구성요소 중 하나로써, 캐소드에서 방사된 전자를 가속시키기 위한 전극. 보통, 애노드는 전자총 용기와 함께 접지되어 있어, 캐소드에는 수십 KV의 마이너스 가속 전압이 인가된다.
반/디 용어집노광․묘화장치마스크제조공정
캐소드 - cathode
전자총의 구성요소 중 하나로써, 전자를 방사하는 전극. 열전자방사용의 텅스텐 에어빔형 캐소드, LaB6 그리고 전계 또는 열전계방사용 캐소드 등이 있다.
반/디 용어집노광․묘화장치마스크제조공정
마스크블랭크, 블랭크마스크 - mask blank, blankmask
포토마스크 제조용 기판. 유리기판 위에 자외선 등의 빛을 차단하는 박막을 형성한 후, 레지스트를 도포시킨 것을 가리킨다. 차광막(遮光膜)으로 주로 크롬이 사용되며, 때로는 실리콘․몰리브덴실리사이드 등이 이용된다. 또, 단층 크롬막 이외에, 표면에 산화크롬막을 갖는 2층막, 크롬층을 산화크롬 사이에 삽입한 3층막도 자주 이용된다. 높은 광투과율, 낮은 열팽창율, 적은 결함, 높은 화학적․기계적 강도가 요구된다.
반/디 용어집기본․공통마스크제조공정
측정재현성 - measurement reproducibility
동일한 방법으로, 동일한 측정 대상을, 측정자․장치․측정장소․측정시기의 전부 또는 어느 하나가 달라진 조건 속에서 측정했을 경우, 각각의 측정값이 일치하는 성질 또는 정도(定度).
반/디 용어집기본․공통마스크제조공정
전자선레지스트 - electric beam resist
전자선을 받으면 현상액에 대한 용해성이 변하는 레지스트, 분류는 포토레지스트와 같다.
반/디 용어집기본․공통마스크제조공정
포토마스크 - photo mask
마스크 블랭크 위에 패턴 이미지(image)가 형성된 마스크 구성체
반/디 용어집기본․공통마스크제조공정
검사장치 - inspection equipment
마스크 블랭크의 모양, 막의 특성, 막 두께, 결함 이물 등을 검사하는 장치인데, 플래트니스 테스터(flatness tester), 간섭계, 광학식 농도계, 가시광선․자외선 분광 광도계, 저외선 분광 광도계, 주사(走査)형 터널전자현미경, 오제(Auger)전자현미경, 촉침식(觸針式)막후(膜厚)계, 에립소메타(ellipsometer), 주사형 전자현미경, EPMA, 이물검사장치 등이 있다.
반/디 용어집검사장치마스크 블랭크 제조
이차전자 - secondary electron
전자가 고체표면 또는 기체분자와 충돌할 경우, 충돌한 물질에서 새롭게 방출되는 저에너지의 전자.
반/디 용어집노광․묘화장치마스크제조공정
위상차(位相差) - phase shift
굴절률이 다른 두 개의 물질을 빛이 통과할 때의 빛의 속도 차이에 의해 발생하는 위상의 차이. 위상 시프트 마스크의 경우, 공기와의 위상차φ는 φ=2π(n-1)/λ [λ:빛의 파장, n:시프터의 굴절률, d:막의 두께] 로 표시된다.
