SiMOX SOI 웨이퍼 - separation by implatation of oxygen SIO wafer

작성자: MidasIT 반디통 | 2021. 8. 5 오후 3:00:00

Si웨이퍼 표면아래 수백㎚로 산소를 이온주입한 후 열처리하고, 산화층을 형성시켜, SOI구조화 한 웨이퍼. 접착 SOI웨이퍼과 비교하면, 박막의 Si층을 만들 수 있다는 장점이 있다.