분자선 에피택셜 성장장치 - molecular beam epitaxial growth system

작성자: MidasIT 반디통 | 2021. 8. 5 오후 3:00:00

성장시킬 재료를 10-8～10-9Pa의 초고진공 중에서 전자빔 모양으로 하여, 서로 마주보는 웨이퍼 위에 단결정층을 성장시키는 장치. 불순물, 결정결함이 극도로 작은 박막을 저온에서 만들 수 있다는 특징을 가지고 있다. 막 성장 중에 막의 조성을 분석하거나 결정성을 관찰하는 부속기능이 설계된다.

전체 게시물 보기